Тип памяти DDR2
Форм-фактор SODIMM 200-контактный
Тактовая частота 800 МГц
Пропускная способность 6400 МБ/с
Объем 1 модуль 2 ГБ
Поддержка ECC нет
Поддержка XMP нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
CAS Latency (CL) 6
RAS to CAS Delay (tRCD) 6
Row Precharge Delay (tRP) 6
Activate to Precharge Delay (tRAS) 18
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.8 В
Количество ранков 2
Срок службы 10 лет
Гарантийный срок 1 год